【光明追思】

　　半導體材料專(zhuān)家、中國工程院院士、中國科學(xué)院半導體所研究員梁駿吾，因病醫治無(wú)效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89歲。

　　梁駿吾，1933年9月18日出生，湖北武漢人。1955年畢業(yè)于武漢大學(xué)，1956年至1960年在蘇聯(lián)科學(xué)院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學(xué)位，1960年獲技術(shù)科學(xué)副博士學(xué)位。 1997年當選為中國工程院院士。曾任中國電子學(xué)會(huì )半電子材料學(xué)分會(huì )主任、名譽(yù)主任。

　　梁駿吾是我國從事硅材料研究的元老級專(zhuān)家，在20世紀60年代解決了高純區熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功為大規模集成電路用的無(wú)位錯、無(wú)旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區熔單晶。80年代首創(chuàng )了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問(wèn)題。90年代初研究MOCVD生長(cháng)超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學(xué)性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進(jìn)到實(shí)用水平。

　　梁駿吾一生與半導體材料科研事業(yè)相伴，他曾在采訪(fǎng)中說(shuō)，希望通過(guò)自己的科研經(jīng)歷，帶給年輕科研人員一些啟發(fā)，讓他們看到這份事業(yè)可以有所作為，讓他們覺(jué)得自己同樣能夠作出成績(jì)。（光明日報全媒體記者李苑）